一种带有限流晶体管的碳纳米管场发射阵列及制备

摘要

带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件，包括阴极、位于阴极下方的栅极、阴极和栅极之间的绝缘层和半导体层，导电基板为栅极；在导电基板上设有绝缘层，在绝缘层上为半导体薄膜；半导体薄膜上设有作为阴极的格状或环状金属电极；在格状或环状金属电极格状或环状孔的中心位置设有垂直于基板生长的单根碳纳米管；所述碳纳米管的一端与半导体层电学相连，且碳纳米管通过半导体层与阴极电学相连；在平面排列的带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件构成场发射阵列，电极为网格状金属电极。所提出和碳纳米管阵列中每一根碳纳米管都串联一个限流晶体管，得到发射电流密度大，发射稳定性高的场发射元件。

主权项

带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件，包括阴极、位于阴极下方的栅极、阴极和栅极之间的绝缘层和半导体层，导电基板为栅极；在导电基板上设有绝缘层，在绝缘层上为半导体薄膜；半导体薄膜上设有作为阴极的格状或环状金属电极；在格状或环状金属电极格状或环状孔的中心位置设有垂直于基板生长的单根碳纳米管；所述碳纳米管的一端与半导体层电学相连，且碳纳米管通过半导体层与阴极电学相连；干在平面排列的带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件构成场发射阵列，电极为网格状金属电极。