发明名称 一种双向双通道的瞬态电压抑制器
摘要 本发明公开了一种双向双通道的瞬态电压抑制器,包括P+衬底层,P+衬底层上从左到右依次设有第一N+埋层、第一P-外延区、第二P-外延区、第三P-外延区、第二N+埋层;第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区;第一P-外延区和第三P-外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区;第一N注入区、第二P-外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区。本发明通过采用齐纳稳压管与低电容二极管的组合结构,进一步降低了TVS的寄生电容,减小了导通电阻,提高了TVS的钳位特性,可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。
申请公布号 CN102306649A 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201110244002.1 申请日期 2011.08.24
申请人 浙江大学 发明人 董树荣;吴健;苗萌;马飞
分类号 H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种双向双通道的瞬态电压抑制器,其特征在于:包括P+衬底层,所述的P+衬底层上从左到右依次设有第一隔离槽、第一N+埋层、第二隔离槽、第一P 外延区、第三隔离槽、第二P 外延区、第四隔离槽、第三P 外延区、第五隔离槽、第二N+埋层、第六隔离槽;所述的第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区;所述的第一P 外延区和第三P 外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区;所述的第一N注入区、第二P 外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区;所述的第一P+有源注入区和第一N+有源注入区通过第一金属电极相连;所述的第三P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连;所述的第二P+有源注入区与接地电极相连。
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