发明名称 | 一种双向双通道的瞬态电压抑制器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种双向双通道的瞬态电压抑制器,包括P+衬底层,P+衬底层上从左到右依次设有第一N+埋层、第一P-外延区、第二P-外延区、第三P-外延区、第二N+埋层;第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区;第一P-外延区和第三P-外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区;第一N注入区、第二P-外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区。本发明通过采用齐纳稳压管与低电容二极管的组合结构,进一步降低了TVS的寄生电容,减小了导通电阻,提高了TVS的钳位特性,可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。 | ||
申请公布号 | CN102306649A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
申请号 | CN201110244002.1 | 申请日期 | 2011.08.24 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 董树荣;吴健;苗萌;马飞 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 一种双向双通道的瞬态电压抑制器,其特征在于:包括P+衬底层,所述的P+衬底层上从左到右依次设有第一隔离槽、第一N+埋层、第二隔离槽、第一P 外延区、第三隔离槽、第二P 外延区、第四隔离槽、第三P 外延区、第五隔离槽、第二N+埋层、第六隔离槽;所述的第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区;所述的第一P 外延区和第三P 外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区;所述的第一N注入区、第二P 外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区;所述的第一P+有源注入区和第一N+有源注入区通过第一金属电极相连;所述的第三P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连;所述的第二P+有源注入区与接地电极相连。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |