一种由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构，该微米尺度网格结构由外部边框(1)和网格区域(2)构成；该外部边框(1)为矩形，该网格区域(2)中包含有网孔(3)，该网孔(3)重复平铺于网格区域(2)所在的空间平面。本发明同时公开了一种制作由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构的方法。利用本发明，可以解决传感器或执行器的大形变要求与牺牲层厚度限制的矛盾，也可以满足部分光学传感器对于背面透光的特殊要求。

主权项

一种制作由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤2、在硅片正面淀积并在沟槽内填充材料；步骤3、对硅片正面进行平坦化工艺；步骤4、刻蚀硅片正面薄膜层；步骤5、从背面腐蚀单晶硅，直到露出沟槽中的填充材料后终止；步骤6、从正面干法腐蚀剩余暴露出的单晶硅薄膜，构成网格结构；步骤7、腐蚀掉框架上残留的薄膜层；步骤8、在网格框架上淀积所需要的薄膜材料，得到由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构。