一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法

摘要

本发明公开了属于多孔陶瓷技术领域的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法。其包括先驱体粉体制备、添加助剂、压力成型、炭化处理及烧结五个步骤，在原有包混工艺的老化步骤调节体系的pH值，制备硅粉表面包覆树脂的硅-树脂核壳结构先驱体粉体。本发明在制备具有硅-树脂核壳结构先驱体粉体的包混工艺老化步骤调节体系的pH值，从而改变树脂交联度，提高树脂稳定性，提高包覆效率，使最终得到的碳化硅陶瓷具备高强度(抗弯强度为10～30MPa)、低热膨胀系数等优点，同时原有工艺的高孔隙率(大于80％)，平均孔径在100～300μm且孔径分布均匀、抗热震性高(800℃热震30次强度损失6.5～30％)等特点均得以保留。

主权项

一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法，包括先驱体粉体制备、添加助剂、压力成型、炭化处理及烧结五个步骤，其中，先驱体粉体制备步骤采用包混工艺制备硅粉表面包覆树脂的硅‑树脂核壳结构先驱体粉体，包混工艺如下：将硅粉、酚醛树脂和酒精混合成浆料，将混合浆料热处理，再冷处理，然后将冷处理后的混合浆料注射入水中，再进行老化处理，最后真空干燥，制得先驱体粉体，其特征在于：在包混工艺的老化步骤调节体系的pH值。