| 发明名称 | 晶片切割方法及其系统 | ||
| 摘要 | 提供了一种通过在晶片内生成裂缝来切割半导体晶片的方法及系统。该方法包括朝着所述晶片的表面照射激光束；以及会聚所述激光束以形成焦点，从而形成聚焦体积，所述聚焦体积由所述焦点和所述晶片内的所述激光束的边界限定。所述聚焦体积内包含的能量使位于所述聚焦体积的周缘处的晶片比位于所述聚焦体积内的晶片收缩得更快，从而在所述晶片内生成裂缝。 | ||
| 申请公布号 | CN102308372A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200980156301.0 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 新加坡科技研究局 | 发明人 | 王中柯;陈涛;郑宏宇 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种通过在晶片内生成裂缝来切割半导体晶片的方法，所述方法包括：‑朝着所述晶片的表面照射激光束；以及‑会聚所述激光束以形成焦点，从而形成聚焦体积，所述聚焦体积由所述焦点和所述晶片内的所述激光束的边界限定；其中，所述聚焦体积内包含的能量使位于所述聚焦体积的周缘处的晶片比位于所述聚焦体积内的晶片收缩得更快，从而在所述晶片内生成裂缝。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||