| 发明名称 | 发光二极管和发光二极管灯 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管，是具有包含由组成式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层的发光部、并且将包含该发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管。在发光二极管的主要的光取出面上具有第1电极和极性与第1电极不同的第2电极。第2电极夹着发光层而形成于与第1电极相反的一侧的化合物半导体层上。对于透明基板的侧面具有在接近发光层的一侧相对于发光层的发光面大致垂直的第1侧面、和在远离发光层的一侧相对于发光面倾斜的第2侧面的发光二极管，通过在透明基板背面形成第3电极，提供光取出效率高、安装工序的生产率高的高辉度发光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN102308397A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN201080007096.4 | 申请日期 | 2010.01.15 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 竹内良一;锅仓亘 |
| 分类号 | H01L33/36(2006.01)I;H01L33/10(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种发光二极管，是包含pn接合型的发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管，其特征在于，具有：设置于发光二极管的主要的光取出面上的第1和第2电极、以及设置于所述透明基板的和与所述化合物半导体层的接合面相反的一侧的第3电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||