| 发明名称 | 生产半导体层和由单质硒和/或单质硫处理的涂层衬底特别是平面衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于生产半导体层和由单质硒和/或单质硫处理的涂层衬底的方法，所述涂层衬底包括至少一个导体层、半导体层和/或绝缘层并且特别是平面衬底，其中，衬底设有至少一层金属层和/或至少一层包含金属的层，特别地，衬底堆中的每个衬底均设有至少一层金属层和/或至少一层包含金属的层，衬底被插入处理室并且加热至预定的衬底温度；来自位于处理室的内部和/或外部的源的单质硒蒸气和/或单质硫蒸气，特别是借助于运载气体尤其是惰性气体，在低真空条件、环境压力条件、或过压条件下经过每一层金属层和/或包含金属的层，以使所述层与目标硒或硫发生化学反应；通过至少一个气体运送装置的强制对流将衬底加热，和/或通过处理室中的至少一个气体运送装置的强制对流将单质硒蒸气和/或单质硫蒸气混合并且引导经过衬底，特别是以均匀的方式将其混合并且引导经过衬底。本发明还涉及用于执行这种方法的处理装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102308174A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200980154119.1 | 申请日期 | 2009.11.30 |
| 申请人 | 福尔克尔·普洛波斯特 | 发明人 | 福尔克尔·普洛波斯特 |
| 分类号 | F27B7/00(2006.01)I;F27B5/04(2006.01)I;F27B5/14(2006.01)I;F27B5/16(2006.01)I;F27D7/04(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | F27B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 用于生产半导体层和由单质硒和/或单质硫处理的涂层衬底的方法，所述涂层衬底包括至少一个导体层、半导体层和/或绝缘层并且特别是平面衬底，其中，衬底(12)设有至少一层金属层和/或至少一层包含金属的层，特别地，衬底(12)的堆(66)中的每个衬底均设有至少一层金属层和/或至少一层包含金属的层，所述衬底(12)被插入处理室(14)并且加热至预定的衬底温度；将来自位于所述处理室(14)的内部和/或外部的源(102、104；210、218)的单质硒蒸气和/或单质硫蒸气特别地借助于运载气体(118、216、220)尤其是惰性气体在低真空条件、环境压力条件、或过压条件下引导经过每一层金属层和/或包含金属的层，以使所述层与硒或硫以目标方式发生化学反应；用至少一个气体运送装置通过强制对流将所述衬底(12)加热，和/或用所述处理室中的至少一个气体运送装置通过强制对流将所述单质硒蒸气和/或所述单质硫蒸气混合并且引导经过所述衬底(12)，特别是以均匀的方式混合并且引导经过所述衬底(12)。 | ||
| 地址 | 德国柏林 | ||