| 发明名称 | 复合衬底及其制造方法、异质外延制备单晶厚膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种复合衬底，用于外延生长III族氮化物半导体单晶厚膜，其特征在于，包括：异质衬底以及异质衬底上的缓冲层，其中，所述异质衬底的厚度为0.5至13毫米。由于复合衬底具有大厚度，在其上生长单晶厚膜后，从生长温度降至室温时，复合衬底上所受的应力小于其断裂应力，而单晶厚膜具有相当的或更厚的厚度时，也不会造成复合衬底的破裂，进而也就不会造成单晶厚膜的破裂，从而保证了形成的单晶厚膜的尺寸，得到大尺寸的单晶厚膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102304760A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN201110231621.7 | 申请日期 | 2011.08.12 |
| 申请人 | 青岛铝镓光电半导体有限公司 | 发明人 | 刘良宏;庄德津 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种复合衬底，用于外延生长III族氮化物半导体单晶厚膜，其特征在于，包括：异质衬底以及异质衬底上的缓冲层，其中，所述异质衬底的厚度为0.5至13毫米。 | ||
| 地址 | 266101 山东省青岛市崂山区海尔路182-6号财富大厦2305室 | ||