发明名称 | 微机电系统压电双晶片的制备方法 | ||
摘要 | 一种MEMS技术领域的微机电系统压电双晶片的制备方法,包括:使用微加工工艺制备压电双晶片基片;在已制备的基片上、下表面,使用提拉法制备PZT薄膜;在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极;使用激光修整压电双晶片;极化上下两层压电薄膜。本发明制备MEMS压电双晶片的方法,具有制备简单、成本低,并集成MEMS制造工艺等特点,有利于MEMS压电器件的制作及应用。 | ||
申请公布号 | CN101814575B | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
申请号 | CN201010157876.9 | 申请日期 | 2010.04.27 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 刘景全;唐刚;李以贵;杨春生;柳和生 |
分类号 | H01L41/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/08(2006.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 一种微机电系统压电双晶片的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:第一步、使用微加工工艺制备压电双晶片基片;第二步、在已制备的基片上表面和下表面,使用提拉法制备PZT薄膜;第三步、使用激光修整压电双晶片;第四步、在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极;第五步,极化上下两层压电薄膜。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |