发明名称 微机电系统压电双晶片的制备方法
摘要 一种MEMS技术领域的微机电系统压电双晶片的制备方法,包括:使用微加工工艺制备压电双晶片基片;在已制备的基片上、下表面,使用提拉法制备PZT薄膜;在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极;使用激光修整压电双晶片;极化上下两层压电薄膜。本发明制备MEMS压电双晶片的方法,具有制备简单、成本低,并集成MEMS制造工艺等特点,有利于MEMS压电器件的制作及应用。
申请公布号 CN101814575B 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201010157876.9 申请日期 2010.04.27
申请人 上海交通大学 发明人 刘景全;唐刚;李以贵;杨春生;柳和生
分类号 H01L41/08(2006.01)I 主分类号 H01L41/08(2006.01)I
代理机构 上海交达专利事务所 31201 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 一种微机电系统压电双晶片的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:第一步、使用微加工工艺制备压电双晶片基片;第二步、在已制备的基片上表面和下表面,使用提拉法制备PZT薄膜;第三步、使用激光修整压电双晶片;第四步、在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极;第五步,极化上下两层压电薄膜。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号