监测和控制薄膜处理的方法和装置

摘要

所提供的薄膜处理系统和方法具有移动淀积传感器，传感器能够以一种方式平移和/或旋转，该方式在选定的淀积时段内将传感器暴露在先质流量中的薄膜淀积环境下，该环境与一个或多个移动基底所经历的淀积环境基本相同。在一实施例中，提供有薄膜监测和控制系统，其中一个或多个移动基底和移动淀积传感器在选定的时段内，沿着薄膜淀积系统的流量区域中基本一致的轨线移动。本发明的系统和方法可包括能够激发至少两种不同谐振模式的SC-cut石英晶体微平衡传感器。

主权项

1.一种用于在基底上处理薄膜的设备，所述设备包括：用于在流量区域生成先质流量的薄膜淀积源；用于旋转所述基底的装置，其中所述基底具有用于接收所述先质的承接表面，其中所述基底的旋转使得所述承接表面围绕第一旋转轴旋转；用于在所述流量区域中平移所述旋转的基底的装置；具有用于接收所述先质的感应表面的传感器；用于旋转所述传感器的装置，其中所述传感器的旋转使得所述感应表面围绕第二旋转轴旋转；以及用于在所述流量区域中平移所述旋转的传感器的装置；其中所述基底的旋转和平移使得所述承接表面沿着所述流量区域中的承接表面轨线移动，并且所述传感器的旋转和平移使得所述感应表面沿着所述流量区域中的感应表面轨线移动，所述感应表面轨线与所述承接表面轨线基本一致，其中当下式成立时所述感应表面轨线与所述承接表面轨线基本一致：${\left[{⟨{\left(\frac{T_{{\overrightarrow{p}}_{\mathrm{Sen}\sin g}}(t,t+\mathrm{\Delta t})-T_{{\overrightarrow{p}}_{\mathrm{Receiving}}}(t,t+\mathrm{\Delta t})}{T_{{\overrightarrow{p}}_{\mathrm{Receiving}}}(t,t+\mathrm{\Delta t})}\right)}^2⟩}_t\right]}^{1/2}<A,$其中A是选定时标Δt中在所述承接表面上淀积的先质层厚度的部分精度中的容差度，而和分别是所述感应表面和承接表面的时间相关处理源厚度因数。