| 发明名称 | 外延基板及发光二极管装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种外延基板的制造方法包括下列步骤：形成牺牲层于基板上，牺牲层具有第一微纳米结构；以及形成缓冲层于牺牲层上。本发明亦披露一种外延基板及发光二极管装置的制造方法。本发明的外延基板及其制造方法及发光二极管装置的制造方法，可以简化工艺，进而提高生产成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101409229B | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200710181150.7 | 申请日期 | 2007.10.12 |
| 申请人 | 台达电子工业股份有限公司;中央大学 | 发明人 | 陈世鹏;薛清全;陈朝旻;郭政煌;陈煌坤 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 魏晓刚;陈小雯 |
| 主权项 | 一种外延基板的制造方法，包括以下步骤：形成牺牲层于基板上，该牺牲层具有第一微纳米结构；以及形成缓冲层于该牺牲层上，该缓冲层的厚度小于该牺牲层的厚度，且在形成该缓冲层于该牺牲层后，还包括：以蚀刻工艺或锻烧工艺移除该牺牲层，而使该缓冲层具有与该第一微纳米结构相对应的第二微纳米结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||