一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置

摘要

本发明涉及人工晶体生长领域，是一种新型的KDP类晶体的生长方法和装置，即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成，容器部分包括：保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分，中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水，用作水浴保温，为高温区。上层利用空气浴保温，为低温区。生长缸也分为两部分，上盖部分为溶解室，下面部分为生长室。生长室在保温层水浴中，溶解室在保温层空气浴中。本专利的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置，可在相对较小的生长槽中，生长出较大尺寸的晶体。生长速度快，晶体质量高，生长设备简单，成本的投入降低，提高了经济效益。

主权项

一种溶液循环蒸发生长KDP类晶体的生长装置，包括：保温槽、生长缸、电机、载晶架、搅拌器、温度传感器、温度控制器、加热器，其特征在于：保温槽的形状为圆柱形，由塑料制作，分为上下两部分，中间由隔板隔开，下层部分内装蒸馏水，用水浴保温，上层利用空气浴保温，两层分别控温，并控制一定的温差，上层为低温区，下层为高温区；生长缸在保温槽的内层，由玻璃或聚氟乙烯制成，生长缸的上盖部分为溶解室，下面为生长室，生长室在保温层水浴中，溶解室在保温层空气浴中。