发明名称 一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
摘要 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法,其特征在于首先以硅片为基底,热氧化形成二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu,之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In,Cu层厚度为3-5微米,而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷,结合微电子封装中经常使用的电镀工艺,采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
申请公布号 CN102306631A 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201110203161.7 申请日期 2011.07.20
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 王栋良;罗乐;徐高卫;袁媛
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦
主权项 一种基于电镀工艺改善Sn‑Ag焊料性能的方法,其特征在于:(1)首先在硅片上热氧化形成一层二氧化硅,接着在形成的二氧化硅层上溅射TiW/Cu,分别作为粘附层和电镀种子层;(2)在电镀种子层上电镀Cu或Ni作为焊料下金属层,然后依次电镀作为焊料的Sn‑Ag和In,之后回流镀层,以促使Sn、Ag和In不同原子相互混合均匀。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号