一种三级掺杂水平的选择性发射极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种选择性发射极及其制备方法，适用于晶体硅太阳电池选择性发射极的制备。针对印刷掺杂法制备二级掺杂选择性发射极存在的问题，如掺杂效果受间接扩散影响大、油墨反应残留多、扩散后硅片不易清洗等问题，本发明充分利用太阳电池金属电极主线和副线的功能差异特性，采用含低填墨率主线的印刷图案将掺杂油墨印刷到硅片上，经过热处理后，可制备出三级掺杂水平的选择性发射极结构：覆盖油墨的副线1和覆盖油墨的主线图形阵列3获得重度掺杂；无油墨的非电极区域2获得轻度掺杂；无油墨的主线空白区域4获得中度掺杂。本方法可减少20％以上掺杂油墨的耗量，从而有效降低来自主线区域油墨的间接扩散影响，油墨反应残留物变少，扩散后硅片更容易清洗干净。

主权项

将掺杂油墨按照特定图案印刷到硅片上，然后对硅片进行一系列热处理，其特征在于：通过上述操作，可在硅片上获得具有重度、中度和轻度三级掺杂水平的选择性发射极。