发明名称 有机发光装置、像素结构、接触结构及其制备方法
摘要 本发明提供一种有机发光装置、像素结构、接触结构及其制备方法。所述接触结构包括一第一导电层、至少一柱体、一发光层、以及一第二导电层。该导电层具有一接触区,该至少一柱体位于该接触区的该第一导电层上,该发光层局部覆盖该接触区的该第一导电层且暴露出该接触区的该柱体周围的部分该第一导电层,该第二导电层覆盖该接触区暴露的部分该第一导电层。该柱体具有一顶面与一底面,且该顶面宽于该底面。
申请公布号 CN101771070B 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN200910249589.8 申请日期 2009.12.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈介伟;方俊雄
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 任默闻
主权项 一种有机发光装置,其特征在于,所述有机发光装置包括:一基板;以及多个相邻的发光元件,各发光元件包括:一第一电极,设置于所述基板上,具有一发光区与一接触区;一保护层,局部覆盖所述第一电极且裸露所述第一电极的所述发光区及所述接触区;一分隔物,设置于所述保护层上且分隔所述发光区与所述接触区;至少一柱体,直接位于所述接触区内的所述第一电极上,所述柱体具有一顶面与一底面,且所述顶面宽于所述底面;一有机发光层,覆盖所述发光区的所述第一电极,且局部覆盖相邻的所述发光元件的所述接触区的所述第一电极,暴露出所述接触区的所述柱体周围的部分所述第一电极;及一第二电极,覆盖所述发光区的所述有机发光层,且局部覆盖相邻的所述发光元件的所述接触区暴露的部分所述第一电极。
地址 中国台湾新竹市