一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法

摘要

本发明公开了一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L的AgNO3、0.002～2mol/L的KI、0.002～2mol/L的乙二胺四乙酸二钠盐混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值至7～13，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到碘化银半导体薄膜，相对饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1～2.5V，电沉积温度25～80℃。本发明通过电沉积一步合成具有一定取向和晶形的碘化银，并且设备简单、成本低廉，反应条件要求较低。

主权项

一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002mol/L的AgNO3、0.002mol/L的KI、0.002mol/L的乙二胺四乙酸二钠盐进行混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值至7，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作为工作电极，铂片电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积，得到电沉积碘化银半导体薄膜，相对于饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1V，电沉积时间为30分钟，电沉积温度25℃。