| 发明名称 | 半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片 | ||
| 摘要 | 本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。 | ||
| 申请公布号 | CN101647096B | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200880010712.4 | 申请日期 | 2008.03.31 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/00(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体芯片的制造方法，具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||