发明名称 |
利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法 |
摘要 |
本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面陷光结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片,采用银镜反应在硅片表面镀银,把镀银后的硅片在酸性刻蚀液中浸泡,获得了减反射陷光结构。该陷光结构在300nm到1000nm的光谱范围内的反射率降低到3.4%。本发明在保持常温湿法刻蚀特征的基础上,通过银镜反应简化了贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程,获得了硅表面更高的减反射效果,为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。 |
申请公布号 |
CN102304766A |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN201110260398.9 |
申请日期 |
2011.09.05 |
申请人 |
华北电力大学 |
发明人 |
李美成;任霄峰;姜冰;白帆;宋丹丹 |
分类号 |
C30B33/10(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
黄家俊 |
主权项 |
一种利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:a.清洗硅片,得到清洁的硅表面;b.银镜反应镀银:先在反应容器中加入硝酸银溶液,再逐渐滴加氨水,并不断震荡,直至所产生的沉淀恰好消失;放入清洗后的硅片,再滴加葡萄糖或戊二醛溶液,水浴加热;c.采用贵金属纳米粒子催化刻蚀:把镀银后的硅片浸入酸性刻蚀液中,所述酸性刻蚀液采用40wt%氢氟酸、30wt%双氧水和去离子水按照1∶5∶10的体积比配制而成;d.硅片后处理:把刻蚀后的硅片用硝酸浸泡,以去除残留在硅表面的银,然后用去离子水或超纯水冲洗干净,真空干燥。 |
地址 |
102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号 |