发明名称 |
利用无电极电化学腐蚀自停止制作的纳米梁结构与方法 |
摘要 |
本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成,并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制;纳米梁由金属连线提供力学支撑,金属连线与衬底间电学绝缘;纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区;且纳米梁为可动结构,上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤,具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。 |
申请公布号 |
CN101311105B |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN200810033916.1 |
申请日期 |
2008.02.26 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
吴燕红;陆荣;杨恒;王跃林 |
分类号 |
B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
利用无电极电化学腐蚀自停止制作纳米梁的结构,其特征在于所制作的纳米梁的结构是在(100)硅片上,所述的纳米梁由金引线提供力学支撑,它是通过两端面上的引线孔与金引线连接的,金引线与硅衬底间有氧化层存在,金引线与硅衬底间为电学绝缘,从而实现纳米梁与硅衬底间的电学隔离。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |