光电转换器件的制造方法

摘要

本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。

主权项

一种光电转换器件的制造方法，所述光电转换器件包括：像素区域，其具有多个像素，每个像素包括光电转换元件、放大晶体管和复位晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述像素和/或放大从所述像素区域读取的信号的外围MOS晶体管，所述像素区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，所述方法包括如下步骤：形成所述放大晶体管、复位晶体管和外围MOS晶体管的栅电极；通过使用所述栅电极作为掩模，注入第一导电类型的杂质离子；形成绝缘膜，以便覆盖所述像素区域和所述外围电路区域；在通过掩模来保护形成在所述像素区域的放大晶体管和复位晶体管上的所述绝缘膜的情况下，通过回蚀刻来去除形成在所述外围电路区域上的所述绝缘膜，用于形成所述外围MOS晶体管的侧面间隔件；以及通过使用在所述像素区域上的所述绝缘膜和所述侧面间隔件作为掩模，注入所述第一导电类型的杂质离子，以使得所述外围MOS晶体管具有轻掺杂漏极LDD结构。