发明名称 一种大功率二极管芯片
摘要 本实用新型公开了一种大功率二极管芯片,其包括二极管晶粒和用于封装二极管晶粒的壳体,所述的二极管晶粒的横截面形状为正2n边型,n≥4。本实用新型的大功率二极管芯片反向漏电流很小,不容易反向击穿,负载能力强。
申请公布号 CN202103087U 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201120179177.4 申请日期 2011.05.31
申请人 常州佳讯光电产业发展有限公司 发明人 李成录;符爱娟;戴亮
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 何学成
主权项 一种大功率二极管芯片,其特征在于:其包括二极管晶粒和用于封装二极管晶粒的壳体,所述的二极管晶粒的横截面形状为正2n边型,n≥4。
地址 213181 江苏省常州市新北区镜湖路8号