| 发明名称 | 使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基材上形成任选的吸收性有机底层；b)在所述底层上方形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂的顶部的程度以致所述光致抗蚀剂图案露出；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。本发明进一步涉及上述方法的产品和由使用上述方法制成的微电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102308260A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200980156339.8 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | AZ电子材料美国公司 | 发明人 | D·J·阿布达拉;R·R·达梅尔;高野祐辅;李晋;黑泽和则 |
| 分类号 | G03F7/40(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 宓霞 |
| 主权项 | 在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)任选地，在基材上形成吸收性有机底层；b)在所述底层上形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂图案的顶部露出的程度；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。 | ||
| 地址 | 美国新泽西 | ||