| 发明名称 | 用于改善量子阱器件中的并行传导的设备和方法 | ||
| 摘要 | 文中总体描述了提供用于改善并行传导的量子阱器件的设备和方法的实施例。可以描述其他实施例并要求其权利。 | ||
| 申请公布号 | CN102308388A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN201080007045.1 | 申请日期 | 2010.03.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·皮拉里塞泰;M·胡代特;B-Y·吉恩;B·舒-金;R·周 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种量子阱器件，包括：包括第一材料的衬底；位于所述衬底上的第一P‑N结，所述第一P‑N结包括所述第一材料；位于所述第一P‑N结上的缓冲层，所述缓冲层包括所述第一材料和第二材料；位于所述缓冲层上的delta掺杂的大带隙堆叠，所述delta掺杂的大带隙堆叠包括所述第二材料；以及位于所述delta掺杂的大带隙堆叠上的窄带隙层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||