发明名称 冗余位线修复的选择方法及其装置
摘要 本发明揭示一种冗余位线修复的选择方法,该方法包含下列步骤:于正规单元阵列中提供多个存储器区块的逻辑地址;产生多个附加熔丝信号;根据该各熔丝信号的状态产生一代码,且该代码对应于该存储器区块的缺陷状态;以及根据该代码于冗余单元阵列中选择出多个冗余区块来取代该存储器区块。该装置包含:一冗余修复启用电路,用以根据该存储器区块的逻辑地址产生一冗余启用信号;一控制熔丝电路,用以传送一对应于该存储器区块缺陷状态的代码;以及一冗余解码器电路,接收该冗余启用信号以及根据该代码来使冗余区块取代该正规单元阵列中的存储器区块。
申请公布号 CN101377959B 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN200710147207.1 申请日期 2007.08.30
申请人 晶豪科技股份有限公司 发明人 陈宗仁
分类号 G11C29/44(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I 主分类号 G11C29/44(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 王志森;黄小临
主权项 一种冗余位线修复装置,于一具有多个存储器区块的正规单元阵列以及一具有多个冗余区块的冗余单元阵列中执行位线修复,该装置包含:一冗余修复启用电路,根据该存储器区块的逻辑地址产生一冗余启用信号,该冗余修复启用电路包含:一启用熔丝电路,用以产生一启用熔丝信号,多个熔丝状态电路,用以产生多个熔丝状态信号,以及一冗余启用电路,接收该启用熔丝信号、该熔丝状态信号以及该存储器区块的逻辑地址来产生该冗余启用信号;一控制熔丝电路,用以传递一对应该存储器区块的缺陷状态的代码,其中该缺陷状态为二邻接缺陷存储器区块、三邻接缺陷存储器区块、四邻接缺陷存储器区块以及二邻接缺陷存储器区块加上另二邻接缺陷存储器区块中的任一者,该控制熔丝电路可产生多个附加熔丝信号,且该代码通过该多个附加熔丝信号的状态组合来决定;一冗余解码电路,接收该冗余启用信号以及该代码,用以于该冗余单元阵列中选出多个冗余区块来取代该正规单元阵列中的多个存储器区块,该冗余解码电路包含:多个第一编码电路,用以根据多个附加熔丝信号来产生多个第一信号,多个第四编码电路,各根据该存储器区块逻辑地址的二位来产生一第二信号,多个第五编码电路,各根据该第一信号、该第二信号以及一附加熔丝信号来产生一冗余选择信号,以及一第八编码电路,用以根据该冗余选择信号来产生一行禁用信号。
地址 中国台湾新竹市