一种制备GaN基LED的方法

摘要

本发明提供了一种制备GaN基LED的方法，首先按常规工艺在SiC衬底上生长GaN基LED外延片，清洗去除P-GaN层表面的油脂及氧化层，然后在P-GaN层上制备键合层，键合到Si或Cu衬底上；用机械减磨的方式将SiC衬底的厚度减薄到25μm-35μm范围；然后采用激光切割方式把SiC衬底划切成网格结构，划切深度达到N-GaN层内；再使SiC衬底浸入腐蚀液，腐蚀界面处的N-GaN层，使N-GaN层上分隔成单块的SiC衬底与N-GaN层脱离。本发明简单易实现，整个过程对器件的性能影响小，既保证了SiC衬底生长的GaN晶体质量高的优点，同时使剥离掉SiC衬底后的N-GaN表面又具有粗化效果，使制作的LED器件散热及取光效率得到提高。

主权项

一种制备GaN基LED的方法，其特征是：首先按常规金属有机物化学气相淀积工艺在SiC衬底上生长GaN基LED外延片，该LED外延片的结构自下至上包括SiC衬底、N‑GaN层、量子阱有源区和P‑GaN层；在生长的SiC衬底GaN基LED外延层上，清洗去除P‑GaN层表面的油脂及氧化层，然后在P‑GaN层上制备P面欧姆接触层及反射镜层，将P面欧姆接触层和反射镜层形成的键合层键合到一个导电的Si或Cu衬底上；用机械减磨的方式将SiC衬底的厚度减薄到25μm‑35μm；然后采用激光切割方式把SiC衬底划切成网格结构，分成一个个小方块，划切深度达到N‑GaN层内；再使SiC衬底浸入腐蚀液，腐蚀液通过激光划切缝隙进入SiC衬底与N‑GaN层的界面处，腐蚀界面处的N‑GaN层，使N‑GaN层上分隔成单块的SiC衬底与N‑GaN层脱离；最后按常规的LED上制备N电极和P电极的工艺在N‑GaN层上制备出N电极，在Si或Cu衬底上制备出P电极。