发明名称 |
多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种多阻态阻变存储器,自上而下包括:顶电极、阻变层和底电极,其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO2材料的MIM结构的器件,在适当的操作方法下该器件可以产生多级电阻态,能够在一个单元内实现多位存储,且能提高存储器的存储密度。多阻态阻变存储器的阻变层采用基于SiO2的材料,具有工艺简单,与CMOS工艺兼容性好的优点。 |
申请公布号 |
CN102306706A |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN201110279718.5 |
申请日期 |
2011.09.20 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
刘力锋;于迪;高滨;陈冰;张飞飞;康晋锋 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种多阻态阻变存储器,其特征在于,自上而下包括:顶电极、阻变层和底电极,其中所述阻变层为氧化物。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |