用于形成半导体材料的外延方法和结构

摘要

本发明提出了一种制造具有提高的特性的半导体材料、衬底和器件的方法和结构。用于形成应变减小的结构的结构和方法包括形成基本应变松弛的多个岛结构，以及将这些岛结构用于后续的应变松弛基本连续半导体材料层的进一步生长。

主权项

一种制造半导体结构的方法，该方法包括：形成具有第一材料成分的多个随机分布的岛结构，特别是通过外延生长在晶格失配的基底衬底上形成；从所述岛结构开始进一步生长，所述进一步生长的成分包括第二材料成分；以及进行纵向生长以形成纵向生长层，所述纵向生长层的成分包括第三材料成分。