发明名称 一种晶体生长制备系统
摘要 本发明涉及一种晶体生长制备系统,包括石英筒、设置于石英筒内的保温罩以及设置于保温罩内部的坩埚,所述保温罩内在坩埚外围设有内层保温罩,所述石英筒底部与保温罩底部之间设有阻止热量向底部散失的圆盘。本晶体生长制备系统保温效果好,在石英筒底部与保温罩底部之间设置圆盘以阻止热量向底部散失;在保温罩内的坩埚外围设有内层保温罩以阻止热量向四周散失,二者结合阻止热量散失,大大提高了晶体生长制备系统的保温效果,解决了当前保温性能不高和探温不准的困难,提高了高温下生长晶体的成品率和晶体的质量。
申请公布号 CN102304753A 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201110254128.7 申请日期 2011.08.31
申请人 中山大学 发明人 王彪;王云华
分类号 C30B15/00(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 禹小明;林伟斌
主权项 一种晶体生长制备系统,包括石英筒(10)、设置于石英筒内的保温罩(20)以及设置于保温罩内部的坩埚(30),其特征在于:所述保温罩内在坩埚外围设有内层保温罩(21),所述石英筒底部与保温罩底部之间设有阻止热量向底部散失的圆盘(11)。
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