发明名称 | 制造绝缘导电图形的方法和层压体 | ||
摘要 | 本发明提供一种制造绝缘导电图形的方法和由该方法制造的层压体,在所述方法中,在基板上形成导电膜和绝缘层图形,以及在通过使用所述绝缘层图形作为掩膜刻蚀所述导电膜而形成导电图形之后,再形成所述绝缘层图形以覆盖所述导电图形。根据本发明,步骤数量与现有工艺相比大幅减少,并且可以极大提高经济效率。 | ||
申请公布号 | CN102308367A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
申请号 | CN201080007009.5 | 申请日期 | 2010.02.08 |
申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 黄智泳;闵盛晙;黄仁皙;李东郁;全相起 |
分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 朱梅;徐琳 |
主权项 | 一种制造绝缘导电图形的方法,所述方法包括:a)在基板上形成导电膜;b)在所述导电膜上形成绝缘层图形;c)通过使用所述绝缘层图形作为掩膜通过刻蚀所述导电膜形成导电图形;和d)再形成所述绝缘层图形以覆盖所述导电图形。 | ||
地址 | 韩国首尔 |