| 发明名称 | 一种具有NH<sub>3</sub>气体敏感效应的碳/硅异质结材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有NH3气体敏感效应的碳/硅异质结新材料，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为99.9％的石墨靶或者将含有0～10％(质量分数)的铁的铁-石墨复合靶溅射到抛光的硅基片上，形成一层厚度为20nm～200nm的膜。该碳/硅异质结新材料具有明显的NH3气体敏感效应，可以用于制备NH3气敏传感器，在室温下工作，无须加热器，易实现器件的微型化、集成化，且灵敏度高、响应时间短、稳定性好，生产工艺简单，成本低，具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101013098B | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200710013468.4 | 申请日期 | 2007.02.02 |
| 申请人 | 中国石油大学(华东) | 发明人 | 薛庆忠;高熙礼;郝兰众;郑庆彬;李群 |
| 分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 青岛高晓专利事务所 37104 | 代理人 | 杨大兴 |
| 主权项 | 一种具有NH3气体敏感效应的碳/硅异质结新材料，其特征是，在一块0.5～1.0mm厚的抛光硅基片上，溅射一层类金刚石碳薄膜，薄膜的厚度为20～200nm。 | ||
| 地址 | 257061 山东省东营市东营区北二路271号 | ||