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一种形成一包括一半导体晶粒之半导体封装的方法，该半导体晶粒具有一用于测试该半导体封装的电操作之测试垫，该方法包括以下步骤：(a)耦合大量焊料至一在该半导体晶粒上之接合垫；(b)将该半导体晶粒囊封在一模制化合物中；及(c)将该大量焊料之至少一部分变形，以将该接合垫上之该大量焊料成型为用于测试该半导体封装之电操作的该测试垫。如请求项1之形成半导体封装的方法，其中将该大量焊料之至少一部分变形的该步骤(c)系在囊封该半导体晶粒之该步骤(b)期间予以执行。如请求项1之形成半导体封装的方法，其中将该大量焊料之至少一部分变形的该步骤(c)系在囊封该半导体晶粒之该步骤(b)前予以执行。如请求项1之形成半导体封装的方法，其中将该大量焊料之至少一部分变形的该步骤(c)系在囊封该半导体晶粒之该步骤(b)后予以执行。如请求项1之形成半导体封装的方法，其中该大量焊料系一焊料凸块。如请求项1之形成半导体封装的方法，其中耦合大量焊料至一接合垫之该步骤(a)系藉由以下制程中至少一者执行：蒸镀、电镀、印刷、喷射、金球凸块化及直接置放。如请求项1之形成半导体封装的方法，其中该大量焊料系一焊球，其系藉由施加热及压力中至少一者施加至该接合垫。如请求项1之形成半导体封装的方法，其进一步包含在一凸块底层金属化步骤中预调节该大量焊料以消除非导电氧化铝之步骤。一种半导体封装，其包含：一基板，其形成为一引线框架与一印刷电路板当中之一者；一半导体晶粒，其系贴附至该基板；一接合垫，其系形成在该半导体晶粒内；模制化合物，其系于一囊封制程中用于囊封至少该半导体晶粒；及焊料，其系设置在能用作一供测试该半导体晶粒之电属性的测试垫之该接合垫上，于该囊封制程中该焊料系经平坦，以和该模制化合物之一表面齐平并且通过该表面暴露于外。如请求项9之半导体封装，其中该基板系一引线框架。如请求项9之半导体封装，其中该基板系一印刷电路板。如请求项9之半导体封装，其中该半导体晶粒系一用于一快闪记忆体装置的控制器晶片。如请求项9之半导体封装，其中该半导体封装系组态成用作一快闪记忆体装置。如请求项9之半导体封装，其中该焊料系一焊料凸块。如请求项9之半导体封装，其中该焊料系一焊球。 |
