| 主权项 |
一种具层叠结构之绝缘板，包括：一第一介电层；一第二介电层，其使用之材料系为芳纶(aramid)，且该第二介电层系层叠于该第一介电层上；以及一第三介电层，其系层叠于该第二介电层上，使该第二介电层系位于该第一介电层与该第三介电层之间；其中，该第一介电层与该第三介电层使用之材料系为一芳香族聚矽氧橡胶系列。如申请专利范围第1项所述之绝缘板，其中，该芳香族聚矽氧橡胶系列系包括一如分子式1所示之芳香族聚矽氧橡胶：@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!m系为1至40之整数；n系为50至250之整数；Ar系为一C5-15芳基，且该芳基系经至少一官能基所取代或未取代，而该至少一官能基系选自由卤素、C1－6烷基、以及C1－6烯基所组成之群组。如申请专利范围第1项所述之绝缘板，其中，该第一介电层及该第三介电层之材料，更包括一填充物。如申请专利范围第3项所述之绝缘板，其中，该填充物之粒径系在10至100 nm之范围内。如申请专利范围第4项所述之绝缘板，其中，该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之含量系占5至30重量百分比范围内。如申请专利范围第3项所述之绝缘板，其中，该填充物之粒径系在0.1至2 μm之范围内。如申请专利范围第6项所述之绝缘板，其中，该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之含量系占0.1至5重量百分比范围内。如申请专利范围第3项所述之绝缘板，其中，该填充物之材料系为高分子材料、陶瓷材料、或陶瓷粉末填充之高分子。如申请专利范围第3项所述之绝缘板，其中，该填充物之材料系选自由钛酸钡(Barium－tianate)、钛酸锆铅(Lead－Zirconate－tianate)及无定形氢化碳(Amorphous hydrogenated carbon)所组成群组之其中一者。如申请专利范围第1项所述之绝缘板，其中，该绝缘板之制造方法，系为浸沾式涂布、滚筒式涂布、印刷、层压、或旋转式涂布。一种封装基板，包括：一承载层，其至少一表面具有复数线路及复数电性连接垫；一第一绝缘板，该第一绝缘板系形成于该承载层、该复数线路、及该复数电性连接垫之表面，且该第一绝缘板具有复数第一开孔以显露该电性连接垫之表面；以及第一线路层，其系设于该第一绝缘板表面，且该第一线路层具有设于该第一开孔中之第一导电盲孔以电性连接该电性连接垫；其中，该第一绝缘板系包含一第一介电层；一第二介电层，其使用之材料系为芳纶(aramid)，且该第二介电层系层叠于该第一介电层上；以及一第三介电层，其系层叠于该第二介电层上，使该第二介电层系位于该第一介电层与该第三介电层之间；其中，该第一介电层与该第三介电层使用之材料系为一芳香族聚矽氧橡胶系列。如申请专利范围第11项所述之封装基板，其中，该芳香族聚矽氧橡胶系列系包括一如分子式1所示之芳香族聚矽氧橡胶：@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!m系为1至40之整数；n系为50至250之整数；Ar系为一C5-15之芳基，且该芳基系经至少一官能基所取代或未取代，而该至少一官能基系选自由卤素、C1－6之烷基、以及C1－6之烯基所组成之群组。如申请专利范围第11项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层之材料，更包括一填充物。如申请专利范围第13项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之粒径系在10至100 nm之范围内。如申请专利范围第14项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之含量系占5至30重量百分比范围内。如申请专利范围第13项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之粒径系在0.1至2 μm之范围内。如申请专利范围第16项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之含量系占0.1至5重量百分比范围内。如申请专利范围第13项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之材料系为高分子材料、陶瓷材料、或陶瓷粉末填充之高分子。如申请专利范围第13项所述之封装基板，其中，该一绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之材料系选自由钛酸钡(Barium－tianate)、钛酸锆铅(Lead－Zirconate－tianate)及无定形氢化碳(Amorphous hydrogenated carbon)所组成群组之其中一者。如申请专利范围第11项所述之封装基板，其中，该第一绝缘板之制造方法，系为浸沾式涂布、滚筒式涂布、印刷、层压、或旋转式涂布。如申请专利范围第11项所述之封装基板，其更包括一线路增层结构，该线路增层结构系配置于该第一绝缘板、及该第一线路层之表面，其中该线路增层结构系包括至少一具有复数第二开孔之第二绝缘板、设于该第二绝缘板表面之第二线路层、及设于该第二绝缘板之第二开孔中的第二导电盲孔，该第二导电盲孔系电性连接该第一线路层，且于该线路增层结构之外层表面具有一绝缘保护层、及该绝缘保护层所覆盖之电性接触垫，且该绝缘保护层具有绝缘保护层开孔以露出该电性接触垫。如申请专利范围第21项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板系包含一第一介电层；一第二介电层，且该第二介电层系层叠于该第一介电层上；以及一第三介电层，其系层叠于该第二介电层上，使该第二介电层系位于该第一介电层与该第三介电层之间；且该第二绝缘板之该第一介电层、及该第三介电层使用之材料与该第一绝缘板之该第一介电层、及该第三介电层使用之材料相同；而该第二绝缘板之该第二介电层与该第一绝缘板之该第二介电层使用之材料相同，且该第二介电层，其使用之材料系为芳纶(aramid)，且该第一介电层与该第三介电层使用之材料系为一芳香族聚矽氧橡胶系列。如申请专利范围第22项所述之封装基板，其中，该芳香族聚矽氧橡胶系列包括一如分子式1所示之芳香族聚矽氧橡胶：@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!m系为1至40之整数；n系为50至250之整数；Ar系为一C5-15芳基，且该芳基系经至少一官能基所取代或未取代，而该至少一官能基系选自由卤素、C1－6烷基、以及C1－6烯基所组成之群组。如申请专利范围第22项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层之材料，更包括一填充物。如申请专利范围第24项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之粒径系在10至100 nm之范围内。如申请专利范围第25项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之含量系占5至30重量百分比范围内。如申请专利范围第24项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之粒径系在0.1至2 μm之范围内。如申请专利范围第27项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之含量系占0.1至5重量百分比范围内。如申请专利范围第24项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之材料系为高分子材料、陶瓷材料、或陶瓷粉末填充之高分子。如申请专利范围第24项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之该第一介电层及该第三介电层中之该填充物之材料系选自由钛酸钡(Barium－tianate)、钛酸锆铅(Lead－Zirconate－tianate)及无定形氢化碳(Amorphous hydrogenated carbon)所组成群组之其中一者。如申请专利范围第21项所述之封装基板，其中，该第二绝缘板之制造方法，系为浸沾式涂布、滚筒式涂布、印刷、层压、或旋转式涂布。 |
