| 主权项 |
一种半导体光电元件，包含：一半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一P-N接合并且具有一上表面；一欧姆接触层，该欧姆接触层系选择性地形成于该半导体结构组合之该上表面上；一抗反射层，该抗反射层系选择性地形成于该半导体结构组合之该上表面上，致使该欧姆接触层之一顶表面与一周围面以及该上表面邻近该欧姆接触层之该周围面之一区域外露；以及一第一电极层，该第一电极层系形成以覆盖该欧姆接触层之该顶表面与该周围面、该上表面之该外露的区域以及该抗反射层上邻近该上表面之该外露的区域之一区域。如申请专利范围第1项所述之半导体光电元件，进一步包含：一第二电极层，该第二电极层系形成于该半导体结构组合之一下表面上。如申请专利范围第1项所述之半导体光电元件，其中该半导体结构组合包含一III-V族化合物。如申请专利范围第3项所述之半导体光电元件，其中该III-V族化合物系选自由一砷化物、一磷化物以及一氮化物所组成之一群组中之其一。如申请专利范围第1项所述之半导体光电元件，其中该欧姆接触层系选自由一重度掺杂的砷化物、一重度掺杂的磷化物以及一重度掺杂的氮化物所组成之一群组中之其一所制成。如申请专利范围第1项所述之半导体光电元件，其中该半导体结构组合包含一基板，并且该基板系选自由锗、矽、砷化镓、氮化镓以及磷化铟所组成之一群组中之其一所制成。如申请专利范围第1项所述之半导体光电元件，其中该欧姆接触层之厚度系大于该抗反射层之厚度。如申请专利范围第1项所述之半导体光电元件，其中该第一电极层系由一金属材料所制成。一种制造一半导体光电元件之方法，包含下列步骤：制备一半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一P-N接合并且具有一上表面；形成一欧姆接触层于该半导体结构组合之该上表面上；选择性地形成一蚀刻阻抗层于该欧姆接触层上；执行一蚀刻制程于该欧姆接触层上，致使该蚀刻阻抗层下之该欧姆接触层发生底切；形成一抗反射层于该蚀刻阻抗层上及该半导体结构组合之该上表面上，致使该上表面邻近该欧姆接触层之一周围面之一区域外露；移除该蚀刻阻抗层及其上之抗反射层；以及形成一电极层以覆盖该欧姆接触层之一顶表面与该周围面、该上表面之该外露的区域以及该抗反射层上邻近该上表面之该外露的区域之一区域。如申请专利范围第9项所述之方法，进一步包含下列步骤：形成一第二电极层于该半导体结构组合之一下表面上。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该半导体结构组合包含一III-V族化合物。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该III-V族化合物系选自由一砷化物、一磷化物以及一氮化物所组成之一群组中之其一。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该欧姆接触层系选自由一重度掺杂的砷化物、一重度掺杂的磷化物以及一重度掺杂的氮化物所组成之一群组中之其一所制成。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该半导体结构组合包含一基板，并且该基板系选自由锗、矽、砷化镓、氮化镓以及磷化铟所组成之一群组中之其一所制成。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该欧姆接触层之厚度系大于该抗反射层之厚度。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该第一电极层系由一金属材料所制成。 |
