发明名称 外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造
摘要
申请公布号 TWI355726 申请公布日期 2012.01.01
申请号 TW097109956 申请日期 2008.03.20
申请人 力成科技股份有限公司 发明人 范文正
分类号 H01L23/49 主分类号 H01L23/49
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项 一种外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,包含:一基板,系具有一封装表面以及一外露表面,其中该封装表面系包含有一黏晶区;一黏晶胶材,系形成于该基板之该封装表面;一晶片,系对准于该黏晶区并藉由该黏晶胶材设置于该基板之该封装表面上;复数个第一排外接球点,系设置于该基板之该外露表面;以及复数个第二排外接球点,系设置于该基板之该外露表面,并相对于该些第一排外接球点更加远离该黏晶区之一中心线;其中,该基板系更具有至少一阶梯状凹槽,其系形成于该封装表面,以致使该阶梯状凹槽内之基板厚度系往远离该黏晶区之该中心线之方向产生阶梯状薄化,并且该黏晶胶材系填入于该阶梯状凹槽。如申请专利范围第1项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该些第二排外接球点系对准于该阶梯状凹槽之覆盖区域以内。如申请专利范围第2项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该些第二排外接球点系邻近于该阶梯状凹槽之两相对称平行边缘。如申请专利范围第2项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该些第二排外接球点系邻近于该阶梯状凹槽之周边。如申请专利范围第1项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中藉由该阶梯状凹槽使该基板在该些第一排外接球点上具有一第一基板厚度,并使该基板在该些第二排外接球点上具有一第二基板厚度,其中该第二基板厚度系小于该第一基板厚度。如申请专利范围第1项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该晶片系具有一接触该黏晶胶材之侧边角,其系与该些第二排外接球点之排列方向大致平行,并且该阶梯状凹槽系具有一在该黏晶区之外并且平行于该侧边角之边缘。如申请专利范围第6项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该黏晶胶材在该侧边角至该些第二排外接球点之间的厚度系大于该基板在该侧边角至该些第二排外接球点之间的厚度。如申请专利范围第1项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,另包含复数个电性连接元件,其系电性连接该晶片至该基板。如申请专利范围第8项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该些电性连接元件系包含复数个焊线。如申请专利范围第8项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该基板系具有一贯通槽孔,其系贯通该封装表面与该外露表面,以供该些电性连接元件之通过。如申请专利范围第10项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,另包含一封胶体,其系形成于该基板之该封装表面上与该贯通槽孔内。如申请专利范围第10项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,另包含一第二晶片,其系背对背叠设于该晶片上。如申请专利范围第1或12项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该基板系具有复数个内接指,其系形成于该封装表面上并在该阶梯状凹槽之外。如申请专利范围第1或12项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该黏晶胶材系黏接于该晶片之一主动面。如申请专利范围第1项所述之外接球点具有可移动增益变化之半导体封装构造,其中该黏晶胶材系黏接于该晶片之一背面。一种半导体封装构造,包含:一基板,系具有一封装表面以及一外露表面,其中该封装表面系包含有一黏晶区;一黏晶胶材,系形成于该基板之该封装表面;一晶片,系对准于该黏晶区并藉由该黏晶胶材设置于该基板之该封装表面上;以及复数个外接球点,系设置于该基板之该外露表面;其中,该基板系更具有至少一阶梯状凹槽,其系形成于该封装表面,以致使该阶梯状凹槽内之基板厚度系往远离该黏晶区之一中心线之方向产生阶梯状薄化,并且该黏晶胶材系填入于该阶梯状凹槽;其中,该晶片系具有一接触该黏晶胶材之侧边角,其系与该些外接球点之排列方向大致平行,并且该阶梯状凹槽系具有一在该黏晶区之外并且平行于该侧边角之边缘;其中,该些外接球点系对准形成于该阶梯状凹槽之表面覆盖区域内。如申请专利范围第16项所述之半导体封装构造,其中该黏晶胶材在该侧边角至该些外接球点之间的厚度系大于该基板在该侧边角至该些外接球点之间的厚度。如申请专利范围第16项所述之半导体封装构造,另包含复数个电性连接元件,系电性连接该晶片至该基板。如申请专利范围第18项所述之半导体封装构造,其中该些电性连接元件系包含复数个焊线。如申请专利范围第18项所述之半导体封装构造,其中该基板系具有一贯通槽孔,其系贯通该封装表面与该外露表面,以供该些电性连接元件之通过。如申请专利范围第20项所述之半导体封装构造,另包含一封胶体,其系形成于该基板之该封装表面上与该贯通槽孔内。如申请专利范围第20项所述之半导体封装构造,另包含一第二晶片,其系背对背叠设于该晶片上。如申请专利范围第16或22项所述之半导体封装构造,其中该基板系具有复数个内接指,其系形成于该封装表面上并在该阶梯状凹槽之外。如申请专利范围第16项所述之半导体封装构造,其中该黏晶胶材系黏接于该晶片之一主动面。如申请专利范围第16项所述之半导体封装构造,其中该黏晶胶材系黏接于该晶片之一背面。
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