| 主权项 |
一种薄膜电晶体基板，包括：一闸线和一资料线在一绝缘基板上彼此相交形成并定义出一像素区域；一薄膜电晶体形成在闸线和资料线的交叉处；一覆盖薄膜电晶体的无机绝缘层并且在其表面上形成一凸起和凹陷图案；以及一提供在凸起和凹陷图案的反射层，其中，凸起和凹陷图案之高与宽的比例系约1：10。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体基板，其中，所述凸起和凹陷图案提供在像素区域的至少一部分内。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体基板，其中，所述凸起和凹陷图案形成为一浮凸形，所述凸起和凹陷图案的高度与宽度的比率为10：1。如申请专利范围第3项所述的薄膜电晶体基板，其中，所述凸起和凹陷图案的高度在1000至5000范围。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体基板，其中，所述凸起和凹陷图案包括至少一个SiNx,SiO2和SiON。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体基板，其中，所述薄膜电晶体包括一汲电极，所述无机绝缘层具有一曝光汲电极的汲接触孔。一种薄膜电晶体基板的制造方法，包括：在一绝缘基板上形成一闸线；形成与闸线相交的一资料线并定义一像素区域；在闸线和资料线交叉处上形成一薄膜电晶体；形成覆盖薄膜电晶体的一无机绝缘层；在无机绝缘层的表面上形成一凸起和凹陷图案；在无机绝缘层上形成一有机光敏层；设置一光罩，以在有机光敏层上折射曝光；藉由通过光罩曝光有机光敏层并显影有机光敏层，以形成相对凸起和凹陷图案之一光敏层图案；以及藉由光敏层图案蚀刻无机绝缘层。如申请专利范围第7项所述的制造方法，其中，所述光罩包括一包含阻挡部分、一切口部分以及一穿透部分的狭长切口光罩，阻挡部分的宽度与切口部分的宽度比率为3：4。如申请专利范围第8项所述的制造方法，其中，该切口部分系具有随着切口部分距离阻挡部分渐远而使切口之间的间隙加宽。如申请专利范围第7项所述的制造方法，其中，光罩包括一含有阻挡部分、半穿透部分以及一穿透部分的网版光罩，阻挡部分的宽度与半穿透部分的宽度比率为3：4。如申请专利范围第10项所述的制造方法，其中，该半穿透部分系具有随着半穿透距离阻挡部分愈远而其穿透性增高。如申请专利范围第7项所述的制造方法，其中，所述光敏图案被形成减缩至凸起和凹陷图案之中心。如申请专利范围第8项或第10项所述的制造方法，其中，光罩呈排列状设置在无机绝缘层上面，阻挡部分的中心与凸起和凹陷图案的中心相对应。 |
