| 主权项 |
一种磊晶沉积方法，包含：导入一基材至一制程腔体中，该基材具有一氧化层；导入一气体混合物至一电浆腔室中；激发该气体混合物以于该腔室中形成反应气体之一电浆；导入该反应气体至该制程腔体中；利用该反应气体处理该基材以形成一挥发薄膜，同时在该基材与该反应气体反应时，维持该基材于低于65℃之温度；加热该基材到至少约75℃之温度，以蒸发该挥发薄膜且移除该氧化层，藉此暴露出一磊晶表面；以及形成一磊晶层于该磊晶表面上。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该电浆未接触该基材。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该电浆腔室与该制程腔体分开。如申请专利范围第1项所述之方法，其中形成该磊晶层的步骤包含移动该基材至一磊晶沉积反应器中而不必将基材暴露至周围空气下。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该电浆腔室、该制程腔体以及该磊晶沉积反应器系真空连接至一多腔体制程系统上。如申请专利范围第1项所述之方法，其中加热该基材到至少100℃之温度。如申请专利范围第6项所述之方法，其中加热该基材到100℃与200℃之间的温度。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该气体混合包含氨气(NH3)与三氟化氮(NF3)。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该反应气体包含氟化铵(ammonium fluoride,NH4F)或氟化氢铵(ammonium hydrogen fluoride,NH4F．HF)。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该挥发薄膜包含六氟矽酸铵(ammonium hexafluorosilicate,(NH4)2SiF6)。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该电浆腔室包含一第一电极与一第二电极，该第一电极连接到一能量源，该第二电极连接到一接地。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第二电极包含一顶板、一分配板与一档板，其在该制程腔体内将该基材与该电浆腔室分开。 |
