| 主权项 |
一种发光二极体基板，包括一蓝宝石基材，其特征在于：该蓝宝石基材包括由多个角锥结构所构成的一表面，且每一角锥结构的底面具有多个锐角，该些角锥结构中之一的每个锐角与相邻的该角锥结构的该些锐角之一互相接近。如申请专利范围第1项所述之发光二极体基板，其中该表面包括底部(0001)面，且该底部(0001)面占该表面之投影面积的5%~40%之间。如申请专利范围第2项所述之发光二极体基板，其中该表面包括底部(0001)面，且该底部(0001)面占该表面之投影面积的10%~30%之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体基板，其中该些角锥结构包括三角锥型或六角锥型。如申请专利范围第1项所述之发光二极体基板，其中各该角锥结构的最大高度为1.5μm~2.0μm之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体基板，其中各该角锥结构的顶部为平面或尖端。如申请专利范围第1项所述之发光二极体基板，其中各该角锥结构的顶部为平面时，所述发光二极体基板更包括一覆盖层，位于各该角锥结构的该平面上。如申请专利范围第7项所述之发光二极体基板，其中该覆盖层之材料包括氧化物、氮化物或矽(Si)。如申请专利范围第8项所述之发光二极体基板，其中该覆盖层之材料包括二氧化矽或氮化矽。一种发光二极体，包括：一图案化蓝宝石基材，包括由多个角锥结构所构成的一表面，且每一角锥结构的底面具有多个锐角，该些角锥结构中之一的每个锐角与相邻的该角锥结构的该些锐角之一互相接近；一第一半导体层，配置在该图案化蓝宝石基材上；一发光层，配置在该第一半导体层上；一第二半导体层，配置在该发光层上；一第一欧姆电极，接触该第一半导体层；以及一第二欧姆电极，接触该第二半导体层。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中该表面包括底部(0001)面，且该底部(0001)面占该表面之投影面积的5%~40%。如申请专利范围第11项所述之发光二极体，其中该表面包括底部(0001)面，且该底部(0001)面占该表面之投影面积的10%~30%。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中各该角锥结构的顶部为平面或尖端。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中各该角锥结构的顶部为平面时，所述发光二极体基板更包括一覆盖层，位于各该角锥结构的该平面上。如申请专利范围第14项所述之发光二极体，其中该覆盖层之材料包括氧化物、氮化物或矽。如申请专利范围第15项所述之发光二极体，其中该覆盖层之材料包括二氧化矽或氮化矽。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中该些角锥结构包括三角锥型或六角锥型。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中各该角锥结构的最大高度为1.5μm~2.0μm之间。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中该第一半导体层、该发光层与该第二半导体层包括III-V族系半导体。如申请专利范围第19项所述之发光二极体，其中该III-V族系半导体为氮化镓系半导体。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中该第一欧姆电极与该第二欧姆电极是含自镍、铅、钴、铁、钛、铜、铑、金、钌、钨、锆、钼、钽、银及此等之氧化物、氮化物所构成之群中所选出的至少一种合金或多层膜。如申请专利范围第10项所述之发光二极体，其中该第一欧姆电极与该第二欧姆电极是含自铑、铱、银、铝所构成之群中所选出的一种合金或多层膜。 |
