| 主权项 |
一种具双面粗化垂直导通式发光二极体之制造方法，包含：(a)粗化连接在一第一基板上的一磊晶膜单元的一相反于该第一基板的第一表面，该磊晶膜单元以氮化镓系列半导体材料磊晶形成且在提供电能时以光电效应产生光；(b)在该粗化后的第一表面上形成多数高度实质均等并与该磊晶膜单元相欧姆接触的导电块；(c)自该粗化后的第一表面上未形成有导电块的区域向上形成一高度实质均等且大于该导电块高度的光入射膜；(d)在该等导电块与光入射膜上形成一高度实质均等且可反射光与导电的光反射膜；(e)准备一具有一导电层的第二基板；(f)将一在晶圆贴合温度范围呈液态的黏着剂在晶圆贴合温度下涂布在该光反射膜上；(g)在晶圆贴合温度下，将该第二基板以该导电层与该光反射膜相接触地连接后降温至常温，使该第二基板的该导电层对应于形成有光入射膜的区域是以晶圆贴合方式与该光反射膜彼此接合，且对应于形成有导电块的区域藉该黏着剂与该光反射膜彼此相连接；及(h)移除该第一基板。依据申请专利范围第1项所述具双面粗化垂直导通式发光二极体之制造方法，其中，构成该光入射膜的材料的折射率小于形成该磊晶膜单元的氮化镓系列半导体材料的折射率。依据申请专利范围第2项所述具双面粗化垂直导通式发光二极体之制造方法，还包含一步骤(i)，设置与磊晶膜单元连接且相欧姆接触以提供电能的电极。依据申请专利范围第3项所述具双面粗化垂直导通式发光二极体之制造方法，还包含一步骤(j)，粗化移除该第一基板后该磊晶膜单元之一相反于该第一表面的第二表面，且该电极是设置在该粗化后的第二表面上。依据申请专利范围第3项所述具双面粗化垂直导通式发光二极体之制造方法，还包含一实施在该步骤(a)之前的步骤(k)，该步骤(k)具有以下次步骤(k1)在一晶格常数与氮化镓系列列半导体材料相匹配的磊晶基板上磊晶形成该磊晶膜单元，(k2)粗化该磊晶膜单元相反于该磊晶基板的一第二表面，(k3)将该第一基板可分离地固定在该粗化后的第二表面上，及(k4)移除该磊晶基板使该磊晶膜单元相反于该第二表面的该第一表面裸露。一种具双面粗化垂直导通式发光二极体，包含：一磊晶膜单元，提供电能时以光电效应产生光并具有相反且经过粗化的一第一表面与一第二表面；一电极，设置在该第二表面上并与该磊晶膜单元相欧姆接触；一反射镜，与该第一表面相连接，具有复数实质等高的导电块、一厚度远大于该等导电块高度的光入射膜，及一形成在该光入射膜上且厚度实质均等的光反射膜，该多数导电块间隔地设置在该第一表面上并与该磊晶膜单元相欧姆接触，该光入射膜以折射率小于该磊晶膜单元的材料形成在该第一表面未连接有该等导电块的区域上，该光反射膜以具有高反射率且可导电的材料形成；一黏着层，设置在该光反射膜对应于该等导电块的区域上且高度与该光反射膜对应于光入射膜的区域齐平；及一第二基板，可导电而与该电极相配合地对该磊晶膜单元提供电能，且与该光反射膜以晶圆贴合方式连结，与该黏着层以黏结方式连结。依据申请专利范围第6项所述具双面粗化垂直导通式发光二极体，其中，该第二基板包括一以可导热的材料构成的基底，及一以可导电的材料形成在该基底上而与该反射镜与黏着层连接的导电层。依据申请专利范围第7项所述具双面粗化垂直导通式发光二极体，其中，该黏着层由一在晶圆贴合制程温度范围成液态的黏着剂构成。 |
