发明名称 电磁干扰抑制体,天线装置及电子资讯传输装置
摘要
申请公布号 TWI355885 申请公布日期 2012.01.01
申请号 TW094142847 申请日期 2005.12.05
申请人 新田股份有限公司 发明人 前泽慎;吉田隆彦;清原好晴;佐藤真一;吴东英
分类号 H05K9/00 主分类号 H05K9/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种电磁干扰抑制体,其为将磁性涂料涂布、乾燥所得之实质上未加压的薄片状者,其特征为,含有软磁性粉末30~80体积%和黏合剂20~70体积%,该黏合剂之玻璃转移点及/或软化点为50℃以上,且为于室温中不含有溶剂及充填剂之状态的贮藏弹性率(E’)为107Pa(JIS K 7244-1)以上的弹性体或树脂。一种电磁干扰抑制体,其为将磁性涂料涂布、乾燥所得之实质上未加压的薄片状者,其特征为,含有软磁性粉末30~80体积%和黏合剂20~70体积%,该黏合剂之玻璃转移点为室温以下,且此玻璃转移点与软化点满足下述式(I)之关系,且为于室温中不含有溶剂及充填剂之状态的贮藏弹性率(E’)为107Pa(JIS K 7244-1)以上的弹性体或树脂,软化点-玻璃转移点≧45℃ (I)。一种电磁干扰抑制体,其为将磁性涂料涂布、乾燥所得之实质上未加压的薄片状者,其特征为,含有软磁性粉末30~80体积%和黏合剂20~70体积%,该黏合剂为含有玻璃转移点为室温以上之弹性体或树脂30~80重量份、和玻璃转移点为未满室温之弹性体或树脂20~70重量份,且此等玻璃转移点满足下述式(II)之关系,且为于室温中不含有溶剂及充填剂之状态的贮藏弹性率(E’)为107Pa(JIS K 7244-1)以上的弹性体或树脂,Tg1-Tg2≧20℃ (II)Tg1:室温以上之玻璃转移点Tg2:未满室温之玻璃转移点。如申请专利范围第1至3项中任一项之电磁干扰抑制体,其中,乾燥为室温乾燥。一种电磁干扰抑制体,其为将磁性涂料涂布、乾燥所得之实质上未加压的薄片状者,其特征为,含有软磁性粉末30~80体积%和黏合剂20~70体积%,含有该磁性涂料之溶剂的沸点为(室温+40℃)以上,该黏合剂之玻璃转移点及/或软化点为(室温+40℃)以上,且为于室温中不含有该溶剂及充填剂之状态的贮藏弹性率(E’)为107Pa(JIS K 7244-1)以上的弹性体或树脂。如申请专利范围第5项之电磁干扰抑制体,其中,乾燥为强制乾燥。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,实比重/理论比重为0.5以上。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,含有高级脂肪酸盐。如申请专利范围第8项之电磁干扰抑制体,其中,高级脂肪酸盐为硬脂酸锌。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,该软磁性粉末之表面为经偶合剂处理或树脂涂层。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,具有复相对介电常数之实数部(ε’)、虚数部(ε”)、及复相对导磁率之实数部(μ’)、虚数部(μ”)。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,以电磁诱导方式之无线通信所用的频率,复相对导磁率之实数部(μ’)为30以上、虚数部(μ”)为6以下、且复相对介电常数之实数部(ε’)为30以上、虚数部(ε”)为500以下。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,以50MHz~1GHz之频率,复相对导磁率之实数部(μ’)为7以上、虚数部(μ”)为5以上。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,含有难燃剂及/或难燃辅助剂,以赋予难燃性。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,于至少一表面,具有黏着剂层或接黏剂层。如申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体,其中,被赋予传热性。一种磁屏蔽薄片,其特征为具备导电性反射层、和于此导电性反射层的至少单面设置之申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体所构成的磁性层,于10MHz~1GHz中以KEC法或升级试验法所得之磁场屏蔽性为20dB以上。一种天线装置,其特征为具备具有整合为无线通信所用之频率之共振频率的天线元件、和于此天线元件与通信障碍构材之间所设置之申请专利范围第1、2、3或5项之电磁干扰抑制体。如申请专利范围第18项之天线装置,其中,该通信障碍构材为金属材。一种电子资讯传输装置,其特征为,使用如申请专利范围第18项之天线装置。
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