| 主权项 |
一种快闪记忆体装置之制造方法，包含有下述步骤：形成一对彼此间隔的堆叠闸于一半导体基板之一单元区域上；形成一对第一间隔体于该单元区域上且与该堆叠闸至少一侧直接接触；形成一对彼此间隔的闸极于该半导体基板之一逻辑区域上；形成一对第二间隔体于该逻辑区域且与该闸极至少一侧直接接触；涂覆一第一光阻层于该第一间隔体之间的该单元区域上，涂覆一第二光阻层于该第二间隔体之间的该逻辑区域上，其中该第一光阻层之一预设厚度小于该第一间隔体之厚度，并且该第二光阻层形成有一预设起始厚度，该起始厚度足够覆盖至少部分该第二间隔体；硬化该第一光阻层和该第二光阻层；以及利用一蚀刻制程减少该第二光阻层之该起始厚度至足够保护该第二间隔体之一最终厚度，其中该第一间隔体之厚度在蚀刻步骤中减小，并且在蚀刻步骤中对该第一光阻层之上部进行蚀刻，藉以减小该第一间隔体之厚度。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中该第一光阻层和该第二光阻层均具有1,500 至2,000 之间的预设起始厚度。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中该第一光阻层和该第二光阻层利用热固化或紫外线照射至少其一被硬化。如申请专利范围第3项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中该热固化或紫外线照射至少其一在温度250℃至300℃之间进行。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中减少该第一光阻层和该第二光阻层至少其一的厚度系利用一无图形蚀刻5至100秒进行。如申请专利范围第5项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中减少该第一间隔体和该第二间隔体至少其一的厚度利用在环境压力下喷射50至200 sccm之间的氯气、10至100 sccm之间的溴化氢气体和5至15sccm之间的氧气的一无图形蚀刻进行。如申请专利范围第6项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中减少该第一间隔体和该第二间隔体至少其一的厚度利用在50至200 mTorr的压力下和50至500 W之间进行一无图形蚀刻。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中该蚀刻制程后该第二光阻层之该最终厚度在500 至1,500 之间。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中该堆叠闸包含一浮动闸、一形成在该浮动闸上的该介电质层以及该介电质层上的一控制闸。如申请专利范围第9项所述之快闪记忆体装置之制造方法，其中该介电质层包含一氧/氮/氧层。一种快闪记忆体装置，包含有：一单元区域和一逻辑区域，形成于一半导体基板上；一对堆叠闸，彼此间隔形成于该单元区域上；一对第一间隔体，形成于该单元区域上且与该堆叠闸至少一侧直接接触；一对闸极，彼此间隔形成于该逻辑区域上；一对第二间隔体，形成于该逻辑区域上且与该闸极至少一侧直接接触；一第一光阻层，形成于该第一间隔体之间之该单元区域上，其中该第一光阻层之一预设厚度小于该第一间隔体之厚度，及一第二光阻层，形成于该第二间隔体之间之该逻辑区域上；以及其中该第二光阻层具有足够保护该第二间隔体之一预设厚度，其中该第一间隔体之厚度在蚀刻步骤中减小，并且在蚀刻步骤中对该第一光阻层之上部进行蚀刻，藉以减小该第一间隔体之厚度。如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体装置，其中该第二光阻层被蚀刻以具有该预设厚度。如申请专利范围第12项所述之快闪记忆体装置，其中该预设厚度在1,500 至2,000 之间。如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体装置，其中该第一光阻层和该第二光阻层利用热固化或紫外线照射至少其一被硬化。如申请专利范围第14项所述之快闪记忆体装置，其中该热固化或紫外线照射至少其一在温度250℃至300℃之间进行。如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体装置，其中该堆叠闸包含一浮动闸、一形成在该浮动闸上的介电质层以及该介电质层上的一控制闸。如申请专利范围第16项所述之快闪记忆体装置，其中该介电质层包含一氧/氮/氧层。 |
