经掺杂之氮化物层，经掺杂之氧化物层以及其他经掺杂之层

主权项

一种制造经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层之方法，其包含下列步骤：提供至少一种矽前驱物，在经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层或经掺杂之氮氧化矽层的情况中，提供下列至少一种：一氮前驱物或一氧前驱物，提供至少一种非矽前驱物，以及自该至少一种矽前驱物以及该至少一种非矽前驱物形成具有经调节至一选择程度之一应力的经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层，当该层为一经掺杂之氧化矽时，该非矽前驱物不是硼也不是磷，其中该等提供步骤藉由沉积而达成，且沉积是在室温下执行。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述提供至少一种矽前驱物及提供至少一种非矽前驱物系同时发生，并且系以提供一气流之方式进行。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非矽前驱物系一锗前驱物。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非矽前驱物系选自碳前驱物、硼前驱物、铝前驱物、砷前驱物、铪前驱物、镓前驱物以及铟前驱物所组成之群组。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该经掺杂氮化矽层系以锗或碳掺杂。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非矽前驱物系一有机锗化合物或一锗前驱物，其系选自氢化锗(GeH4)、甲基氢化锗(GeH3CH3)、二硼烷(diborane)、三甲基铝(TMA)、乙烯(C2H2)碳前驱物、三甲基镓(trimethyl Ga)、三甲基铟(trimethyl In)、三烷基氨基镓(trialkyl amino Ga)、三烷基氨基铟(trialkyl amino In)、氢化镓(GaH3)、氢化铟(InH3)、氢化铝(AlH3)以及三异丙氧基铝(aluminum isopropoxide)所组成之群组。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该等提供步骤藉由沉积而达成，且该沉积系快速升温化学气相沉积(RTCVD)、电浆辅助化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、远端电浆氮化物或原子层沉积(ALD)。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含下列步骤：测量来自该非矽前驱物之一非矽掺质之一讯号，该讯号测量系为了控制蚀刻。一种制造经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层之方法，其包含下列步骤：提供至少一种矽前驱物，在经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层或经掺杂之氮氧化矽层的情况中，提供一氮前驱物或一氧前驱物之至少一者，以及提供至少一种非矽前驱物，其中该非矽前驱物系锗、碳、铝、硼、砷、铪、镓或铟之烷基氢化物或烷基氨基氢化物，其中形成经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层，但当该层为一经掺杂之氧化矽时，该非矽前驱物不是硼也不是磷。一种制造经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层之方法，其包含下列步骤：提供至少一种矽前驱物，在经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层或经掺杂之氮氧化矽层的情况中，提供一氮前驱物或一氧前驱物之至少一者，以及提供至少一种非矽前驱物，利用一前驱物改变(precursor modification)以调整一制造之层的至少一物理性质，其中形成经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层，但当该层为一经掺杂之氧化矽时，该非矽前驱物不是硼也不是磷，且其中存在下列一或多者：a)该前驱物改变系至少两种前驱物之一混合物，b)该至少一物理性质系一制造之层的应力，以及c)该至少一物理性质系选自由湿蚀刻速率、乾蚀刻速率、蚀刻终点、沉积速率以及电气及/或光学性质所组成之群组。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该前驱物改变系至少两种前驱物之一混合物。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该至少一物理性质系一制造之层之应力。如申请专利范围第8项所述之方法，其中存在c)。一种制造经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层之方法，其包含下列步骤：提供至少一种矽前驱物，在经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层或经掺杂之氮氧化矽层的情况中，提供一氮前驱物或一氧前驱物之至少一者，以及提供至少一种非矽前驱物，其中形成经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层，但当该层为一经掺杂之氧化矽时，该非矽前驱物不是硼也不是磷，以及其中该等提供步骤藉由沉积而达成，且沉积是在与省略该非矽前驱物相比较低之温度下进行。一种制造经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层之方法，其包含下列步骤：提供至少一种矽前驱物，在经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层或经掺杂之氮氧化矽层的情况中，提供一氮前驱物或一氧前驱物之至少一者；提供至少一种非矽前驱物，其选自由铝前驱物、铪前驱物以及铟前驱物所组成之群组；以及自该至少一种矽前驱物以及该至少一种非矽前驱物形成具有经调节至一选择程度之一应力的经掺杂之氮化矽层、经掺杂之氧化矽层、经掺杂之氮氧化矽层或经掺杂之碳化矽层。