| 主权项 |
一种半导体装置，系包含：半导体晶片；密封上述半导体晶片之密封树脂；载置有上述半导体晶片的支撑部；与上述半导体晶片电性连接的焊线(bonding wire)；以及藉由上述焊线电性连接于上述半导体晶片的引线部；上述引线部系具有从长度方向观看时从相同侧之侧面延伸出的前端止拔部以及止拔段部；上述前端止拔部系于上述引线部之前端延伸出；上述止拔段部系朝上述引线部的横向延伸出，其下表面相较于上述引线部之下表面朝上方偏移。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述支撑部于平面视时为X字形。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述引线部系具有将前端朝向中央配置的长形形状。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，含有互相大致平行配置的复数个上述引线部。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述引线部之下表面系从上述密封树脂的下表面露出。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述引线部系具有密封于上述密封树脂内的内引线部，上述内引线部之靠近前端的部分系为上述焊线所接合的内部连接部。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述半导体装置系为表面安装型的QFN封装件。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述引线部之上表面系比上述支撑部之上表面低。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述引线部系比200μm薄。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，于上述引线部之上表面形成有沿着与长度方向大致垂直之方向且剖面大致呈V字形的凹口。如申请专利范围第10项所述之半导体装置，其中，在上述引线部的上表面，比上述凹口靠近前端部侧的区域系为焊线所接合之焊线连接部。如申请专利范围第11项所述之半导体装置，其中，于上述焊线连接部形成有镀覆层。如申请专利范围第12项所述之半导体装置，其中，上述镀覆层为镀银层。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述前端止拔部系于两侧面侧延伸出。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部系于上述引线部之两侧面大致跨越整个区域地形成。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部系于两侧面延伸出。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中，于上述半导体晶片之端子部设有凸块，上述凸块系接合于上述引线部的上表面。一种半导体装置，系包含：半导体晶片；密封上述半导体晶片之密封树脂；载置有上述半导体晶片的支撑部；与上述半导体晶片电性连接的焊线；以及藉由上述焊线电性连接于上述半导体晶片的引线部；上述引线部系具有从长度方向观看时从相同侧之侧面延伸出的两个突部；上述两个突部系为于上述引线部之前端延伸出的前端止拔部以及朝上述引线部之横向延伸出的止拔段部。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述支撑部于平面视时为X字形。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述引线部系具有将前端朝向中央配置的长形形状。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，含有互相大致平行配置的复数个上述引线部。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述引线部之下表面系从上述密封树脂的下表面露出。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述引线部系具有密封于上述密封树脂内的内引线部，上述内引线部之靠近前端的部分系为上述焊线所接合的内部连接部。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述半导体装置系为表面安装型的QFN封装件。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述引线部之上表面系比上述支撑部之上表面低。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述引线部系比200μm薄。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，于上述引线部之上表面形成有沿着与长度方向大致垂直之方向且剖面大致呈V字形的凹口。如申请专利范围第27项所述之半导体装置，其中，在上述引线部的上表面，比上述凹口靠近前端部侧的区域系为焊线所接合之焊线连接部。如申请专利范围第28项所述之半导体装置，其中，于上述焊线连接部形成有镀覆层。如申请专利范围第29项所述之半导体装置，其中，上述镀覆层为镀银层。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述前端止拔部系于两侧面侧延伸出。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部系于上述引线部之两侧面大致跨越整个区域地形成。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部系于两侧面延伸出。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部之下表面相较于上述引线部之下表面朝上方偏移。如申请专利范围第18项所述之半导体装置，其中，于上述半导体晶片之端子部设有凸块，上述凸块系接合于上述引线部的上表面。一种半导体装置，系包含：半导体晶片；密封上述半导体晶片之密封树脂；载置有上述半导体晶片的支撑部；与上述半导体晶片电性连接的焊线；以及藉由上述焊线电性连接于上述半导体晶片的引线部；上述引线部系具有从长度方向观看时从相同侧之侧面延伸出的两个突部，上述两个突部中，接近上表面侧之突部的突出宽度系比接近下表面侧之突部的突出宽度大；上述两个突部系为于上述引线部之前端延伸出的前端止拔部以及朝上述引线部之横向延伸出的止拔段部。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述支撑部于平面视时为X字形。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述引线部系具有将前端朝向中央配置的长形形状。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，含有互相大致平行配置的复数个上述引线部。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述引线部之下表面系从上述密封树脂的下表面露出。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述引线部系具有密封于上述密封树脂内的内引线部，上述内引线部之靠近前端的部分系为上述焊线所接合的内部连接部。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述半导体装置系为表面安装型的QFN封装件。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述引线部之上表面系比上述支撑部之上表面低。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述引线部系比200μm薄。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，于上述引线部之上表面形成有沿着与长度方向大致垂直之方向且剖面大致呈V字形的凹口。如申请专利范围第45项所述之半导体装置，其中，在上述引线部的上表面，比上述凹口靠近前端部侧的区域系为焊线所接合之焊线连接部。如申请专利范围第46项所述之半导体装置，其中，于上述焊线连接部形成有镀覆层。如申请专利范围第47项所述之半导体装置，其中，上述镀覆层为镀银层。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述前端止拔部系于两侧面侧延伸出。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部系于上述引线部之两侧面大致跨越整个区域地形成。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部系于两侧面延伸出。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，上述止拔段部之下表面相较于上述引线部之下表面朝上方偏移。如申请专利范围第36项所述之半导体装置，其中，于上述半导体晶片之端子部设有凸块，上述凸块系接合于上述引线部的上表面。 |
