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Es wird eine Leistungshalbleitervorrichtung (10A–10H, 10J–10N) bereitgestellt, die ein Halbleitersubstrat (100A–100H, 100J–100N) aufweist, in dem ein Strom in einer Dickenrichtung (103) des Halbleitersubstrats fließt. Das Halbleitersubstrat enthält eine Widerstandssteuerstruktur (300A–300H, 300J–300N), die so ausgelegt ist, dass ein Widerstand gegenüber dem Strom in einem Zentralabschnitt (41) des Halbleitersubstrats höher wird als in einem Randabschnitt (42) des Halbleitersubstrats.
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