发明名称 Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Leistungshalbleiterbauteil mit mindestens einem Leistungshalbleiterchip (6), der auf seiner Oberseite (10) und auf seiner Rückseite (11) großflächige Elektroden (D, S) aufweist, die sich nahezu über den gesamten Leistungshalbleiterchip (6) erstrecken und die über Verbindungselemente (12) mit Außenkontakten (13) elektrisch in Verbindung stehen, wobei der Leistungshalbleiterchip (6) und die Verbindungselemente (12) in ein Kunststoffgehäuse (14) eingebettet sind, das mehrere aufeinander gepresste Kunststoffschichten (15, 16) mit planparallelen Oberseiten (18, 19, 20, 21) aufweist, wobei die Kunststoffschichten (15, 16, 17) eine Kunststoffpressmasse aufweisen und auf mindestens einer der planparallelen Oberseiten (19) zwischen den aufeinander gepressten Kunststoffschichten (15, 16) die Verbindungselemente (12) in einer Umverdrahtungslage als strukturierte Metallschicht (24) angeordnet sind und über Durchkontakte (25) durch mindestens eine der Kunststoffschichten (15) mit den Elektroden und den Außenkontakten (13) elektrisch in Verbindung stehen.
申请公布号 DE102006021959(B4) 申请公布日期 2011.12.29
申请号 DE20061021959 申请日期 2006.05.10
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 OTREMBA, RALF, DIPL.-ING.(FH) DIPL.-PHYS.;STRACK, HELMUT, DR.
分类号 H01L23/48;H01L25/07;H01L29/739;H01L29/78 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
地址