Verfahren zur Herstellung eines passivierten, Bor-dotierten Bereichs, insbesondere während der Herstellung einer Solarzelle, und Solarzelle mit einem passivierten, Bor-dotierten Bereich

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines passivierten, Bor-dotierten Bereichs, insbesondere in einer Solarzelle, welches die Schritte a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, b) Ausbilden eines Bor-dotierten Bereichs (202; 302; 402; 502) in genanntem Halbleitersubstrat (201; 301; 401; 501), wobei wenigstens ein Teil einer Oberfläche des genannten Halbleitersubstrats zu dem genannten Bor-dotierten Bereich gehört (202; 302; 402; 502) und c) Ausbilden von wenigstens einer dielektrischen Schicht (204; 205; 304; 305; 404; 405; 504; 505) auf wenigstens einem Teil der Oberfläche des gemäß der vorangegangenen Schritte modifizierten Halbleitersubstrats (201; 301; 401; 501) aufweist, wobei eine Borsilikatglasschicht (202A; 302A; 402A; 502A) auf der Oberfläche des Bor-dotierten Bereichs (202; 302; 402; 502) ausgebildet wird und 304; 404; 504) in direktem Kontakt mit wenigstens einem Teil der genannten Borsilikatglasschicht (202A; 302A; 402A; 502A) ausgebildet wird sowie eine Solarzelle (200; 300; 400; 500), umfassend ein Halbleitersubstrat, wenigstens einen Phosphor-dotierten Bereich (203; 303; 403; 503) in genanntem Halbleitersubstrat, der an einen Stromkreis angeschlossen werden kann und zwar mittels wenigstens eines Metallkontakts (207; 307; 407; 507), wenigstens einen Bor-dotierten Bereich (202; 302; 402; 502) in genanntem Halbleitersubstrat, der an einen Stromkreis angeschlossen werden kann und zwar mittels wenigstens eines Metallkontakts (206; 306; 406; 506) und wenigstens eine dielektrische Schicht (204; 205; 304; 305; 404; 405; 504; 505), die wenigstens einen Teil der Oberfläche des genannten Halbleitersubstrats überdeckt, wobei das genannte Halbleitersubstrat wenigstens eine Borsilikatglasschicht (202A; 302A; 402A; 502A) umfasst und zwar auf der Oberfläche des genannten wenigstens einen Bor-dotierten Bereichs (202; 302; 402; 502) und wobei die genannte wenigstens eine dielektrische Schicht (204; 304; 404; 504) in direktem Kontakt mit wenigstens einer Oberfläche der genannten Borsilikatglasschicht (202A; 302A; 402A; 502A) ist, die sich gegenüber der Oberfläche der Borsilikatglasschicht (202; 302; 402; 502) befindet, die dem wenigstens einen Bor-dotierten Bereich zugewandt ist.