Oberste Antireflektionsbeschichtungszusammensetzung und Verfahren zur Musterausbildung für eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung derselbigen

摘要

Hierin offenbart ist eine oberste Antireflektionsbeschichtungszusammensetzung, die einen Photosäurebildner, dargestellt durch Formel 1 unten, umfaßt:worin n zwischen 7 und 25 ist. Da die oberste Antireflektionsbeschichtungszusammensetzung einen Teil eines Photasäurebildners löst, der oben auf einem darunterliegenden Photosensibilisator vorliegt, insbesondere bei Bildung einer obersten Antireflektionsbeschichtung, kann sie verhindern, daß der obere Teil in einen dicken Bereich umgewandelt wird. Daher erlaubt die Verwendung der Antireflektionsbeschichtungszusammensetzung die Herstellung eines vertikalen Musters auf einer Halbleitervorrichtung.