| 摘要 |
Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate, mit: einem Halbleitersubstrat (2) eines ersten Leitungstyps mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, einer Basisschicht (3) eines zweiten Leitungstyps, die benachbart zu der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates (2) vorgesehen ist, einer Mehrzahl von Gräben (4), die so ausgebildet sind, dass sie durch die Basisschicht (3) und in die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates (2) dringen, wobei die Mehrzahl der Gräben (4) in Streifen angeordnet ist, Isolationsfilmen (5), welche die Innenflächen der Gräben (4) bedecken, Gateelektroden (5a), die auf den Isolationsfilmen (5) so ausgebildet sind, dass sie die Gräben (4) ausfüllen, einer Mehrzahl von ersten Emitter-Dotierungsschichten (9), die in einem Oberflächenschichtabschnitt der Basisschicht (3) so ausgebildet sind, dass sie sich in einer Richtung erstrecken, welche die Gräben (4) schneidet, wobei die Mehrzahl der ersten Emitter-Dotierungsschichten (9) in Streifen angeordnet ist, Kontaktregionen (8), die über der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates...
|
