发明名称 |
半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件 |
摘要 |
半导体器件的接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件,所述方法在源/漏区上形成了下部为多个接触孔、上部为沟槽接触的接触结构,所述接触孔具有较小的孔径,所述沟槽接触具有较大的接触面积,孔径较小的接触孔与接触面积较大的沟槽接触,易于和上层的金属层相连接,从而提高了接触的导电性能,进而提高了器件的整体性能。 |
申请公布号 |
CN102299096A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN201010215145.5 |
申请日期 |
2010.06.22 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
钟汇才;梁擎擎 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
马佑平 |
主权项 |
一种半导体器件的接触的制造方法,所述方法包括:A、提供半导体衬底以及半导体器件,所述器件包括栅极区和源/漏区;B、在所述源/漏区上形成层间介质层;C、在所述层间介质层内形成多个有序的通孔,并填充所述通孔形成接触孔;D、在所述层间介质层内形成位于接触孔之上的沟槽接触。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |