提高半导体图形分辨率的方法

摘要

本发明提出一种提高半导体图形分辨率的方法，通过至少两次离子斜向入射的程序来提高微影工艺的分辨率，该方法包括以下步骤：提供一半导体基层，其上具有一保护层、一第一蚀刻层以及一光刻胶层；去除该光刻胶层的一部分形成一开口，露出该第一蚀刻层的槽底部分；将一第一离子以一第一入射角度注入该槽底部分的一第一注入区，且该第一入射角度介于0到90度之间；以及将一第二离子以一第二入射角度注入该槽底部分的一第二注入区，其中该第二入射角度介于0到90度之间，且该第二注入区与该第一注入区不相邻。

主权项

一种提高半导体图形分辨率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(A)提供半导体基层，其包括一第二蚀刻层，该半导体基层上具有保护层、第一蚀刻层以及光刻胶层；(B)图案化该光刻胶层以形成开口，并露出部分该第一蚀刻层；(C)将第一离子以第一入射角度注入露出的该第一蚀刻层，形成第一注入区；(D)将第二离子以第二入射角度注入露出的该第一蚀刻层以形成第二注入区，其中该第二注入区与该第一注入区不相邻，且该第一入射角度独立于该第二入射角度；以及(D1)执行一第二移除工艺，去除在一绝缘层遮罩外的该保护层及该第二蚀刻层的部分。