发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体制造领域,本发明提供了一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层;在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层;在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层;对所述器件进行热退火处理,以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧,使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。通过本发明能够在减小界面层厚度的同时,阻止吸氧金属扩散进入功函数层和/或栅介质层,从而在不影响器件的阈值电压的前提下减少等效氧化层的厚度。 | ||
申请公布号 | CN102299061A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
申请号 | CN201010215854.3 | 申请日期 | 2010.06.22 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 韩锴;王文武;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
主权项 | 一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层;在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层;在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层;对所述器件进行热退火处理,以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧,使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |